Эпитаксиальные структуры GaAlAs для светоизлучающих диодов


Выращиваются методом жидкофазной эпитаксии на подложках  арсенида галлия. Используются для изготовления кристаллов светоизлучающих диодов (СИД) красного и ИК - диапазона, знаковых индикаторов, оптронов.





ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИН AlGaAs ДЛЯ СИД КРАСНОГО ЦВЕТА СВЕЧЕНИЯ

 Тип Материал
структура / подложка
λp, ± 5нм
 Сила света,
мКд, при 20мА
 Обратное
напряжение
Vr min, В,
при Ir = 10μА
 Время отклика, нс
 мин тип
  Tr Tf
 ЭСАГА 49
 n-AlGaAs(SH) / p-GaAs  650-665  5  7  8  60  50
 ЭСАГА 125
 p-AlGaAs(DH) / n-GaAs  650-665  9  12  8  40  30
 ЭСАГА 125S
 p-AlGaAs(DH) / n-GaAs  650-665  2,5  4  8  40  30
 ЭСАГА 129
 p-AlGaAs(DH) / n-GaAlAs  650-665  18  25  8  50  35
 ЭСАГА 131
 n-AlGaAs(DH) / p-GaAs  650-665  12  15  8  40  30
 ЭСАГА 140
 n-AlGaAs(DH) / p-GaAlAs  650-665  20  30  5  50  35
Примечания: SH - гетероструктура, DH - двойная гетероструктура, n - верхняя сторона n - типа, p -  верхняя сторона p - типа 

ПАРАМЕТРЫ ПЛАСТИН AlGaAs ДЛЯ СИД ИК - ДИАПАЗОНА

 Тип  Материал
структура / подложка
λp, ± 5нм 

Сила света,
мКд, при 20мА 
Обратное
напряжение
Vr min, В,
при Ir = 10μА
 Время отклика, нс 
 мин  тип  Tr Tf 
 ЭСАГА 20
 n-AlGaAs(DH) / p-GaAs
800-860
0,8
 1,4
 8  60  50
 ЭСАГА 131L
n-AlGaAs(DH) / p-GaAs
 680-790 0,8
 1,4  8  40  30
 ЭСАГА 136
p-AlGaAs(DH) / n-GaAlAs
 850-880 3,0
4,0
 8   40  30
20
 4,0 5,0
 8  25
 2,0  3,0  8  25  20
 ЭСАГА 140
n-AlGaAs(DH) / p-GaAlAs
 720-740 2,5
 3,5  8  40  30
 ЭСАГА 140L
n-AlGaAs(DH) / p-GaAlAs
 800-870 3,0
 4,0  8 40
 30
 4,0  5,0  8  40 30
 ЭСАГА 141
p-AlGaAs(DH) / n-GaAlAs
 900-940 2,5
 3,5  8  300  300
Примечания: SH - гетероструктура, DH - двойная гетероструктура, n - верхняя сторона n - типа, p -  верхняя сторона p - типа       

Прием заявок по факсам: (4842) 73-58-70, 73-58-63, 55-12-50, или электронной почте: info@voshod-krlz.ru
По техническим вопросам обращаться по телефону: (4842) 76-66-31 Парамонов Виктор Васильевич