Подложки монокристаллического GaAs











ПАРАМЕТРЫ ПОДЛОЖЕК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Метод получения
метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава слоем борного ангидрида (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC)
Плотность дислокаций, см-2 , не более чем 5·104
Концентрация носителей, см-3
1·1016 - 3·1018
Легирующая примесь Te, Zn
Диаметр, дюйм
2; 3
Кристалло-графическое направление
(100), (111)
Толщина, мкм
350-650
   Обработка поверхности  
одно- или двухсторонняя полировка

Прием заявок по факсам: (4842) 73-58-70, 73-58-63, 55-12-50, или электронной почте: info@voshod-krlz.ru
По техническим вопросам обращаться по телефону: (4842) 76-66-31 Парамонов Виктор Васильевич